Мощность излучения P,мВт | 9 |
Прямое напряжение,В | 1.8 |
при токе Iпр.,мА | 50 |
Длина волны,нм | 950 |
Ширина спектра излучения,нм | 50 |
Видимый телесный угол,град | 20 |
Максимальное время нарастания импульса,нс | 1000 |
Максимальное время спада импульса,нс | 600 |
Максимальное обратное напряжение,В | 2 |
Максимальный прямой ток,мА | 100 |
Максимальный импульсный прямой ток,мА | 600 |
Способ монтажа | в отверстие |
Рабочая температура,С | -40...85 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
564ПР1 |
|
|
|
|
568.00
|
|
|
|
564ПР1 |
|
|
НОВОСИБИРСК
|
4
|
315.00
|
|
|
|
564ПР1 |
|
|
НЗПП
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL
|
17
|
1 756.44
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL CORPORATION
|
1 817
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
|
864
|
273.12
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
США
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL1
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
MICRO CHIP
|
212
|
337.88
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
1 278
|
|
|
|
|
IRF7309 |
|
Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
60.48
|
|
|
|
IRF7309 |
|
Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...
|
|
1
|
63.00
|
|
|
|
IRF7309 |
|
Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7309 |
|
Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
IRF7309 |
|
Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF7309 |
|
Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
NCP1117ST33T3G |
|
Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1117ST33T3G |
|
Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)
|
|
6 400
|
19.05
|
|
|
|
NCP1117ST33T3G |
|
Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)
|
ONS
|
2 576
|
35.57
|
|
|
|
NCP1117ST33T3G |
|
Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1117ST33T3G |
|
Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
NCP1117ST33T3G |
|
Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
452
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
|
309 286
|
3.70
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
ТОМСК
|
8
|
2.10
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
КВАРЦИТ
|
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
НИИПП ТОМСК
|
3 760
|
37.20
|
|