SI4892DY-T1
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 12.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 10.5nC @ 5V |
| Power - Max | 1.6W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
SI4892DY N-channel 30-v (d-s) Mosfet Также в этом файле: Si4892DY-T1
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS6675A | FAIR |
|
|
|||||
| FDS6675A | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| FDS6675A |
|
80.00 | ||||||
| FDS6675A | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| FDS6675A | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| FDS6675A | 4-7 НЕДЕЛЬ | 187 |
|
|||||
| FDS6676S | FAIR |
|
|
|||||
| FDS6676S | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| FDS6676S |
|
104.00 | ||||||
| FDS6676S | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| FDS6676S | 4-7 НЕДЕЛЬ | 373 |
|
|||||
| FDS6680A(Q) | FAIR |
|
|
|||||
| FDS6680A(Q) |
|
124.00 | ||||||
| FDS6680A(Q) | 4-7 НЕДЕЛЬ | 76 |
|
|||||
| FDS7064N | FAIR |
|
|
|||||
| FDS7064N |
|
124.00 | ||||||
| FDS7064N | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| FDS7064N | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| FDS7064N | 4-7 НЕДЕЛЬ | 135 |
|
|||||
| SI4835BDY-T1-E3 | SILICONIX |
|
|
|||||
| SI4835BDY-T1-E3 | SILICONIX | 1 880 |
|
|||||
| SI4835BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix |
|
|
|||||
| SI4835BDY-T1-E3 |
|
112.00 | ||||||
| SI4835BDY-T1-E3 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 467 |
|
