| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
КД105Б |
|
Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА
|
|
19 888
|
3.70
|
|
|
|
|
КД105Б |
|
Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
|
КД105Б |
|
Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД105Б |
|
Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
|
КД105Б |
|
Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
|
51 401
|
2.77
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
БРЕСТ
|
1
|
1.05
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
СЗТП
|
80
|
15.12
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
СЗТП САРАНСК
|
181
|
11.47
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
|
3 452
|
9.25
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
КРЕМНИЙ
|
826
|
12.47
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
БРЯНСК
|
3 650
|
2.10
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
527
|
4.60
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
|
16.12
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ДАЛЕКС
|
57
|
32.96
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
2 279
|
27.75
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
480
|
28.35
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
3 729
|
37.80
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
Версия для печати
