| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
|
50 585
|
2.77
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
БРЕСТ
|
1
|
1.05
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
СЗТП
|
80
|
15.12
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
СЗТП САРАНСК
|
157
|
11.47
|
|
|
|
 |
КТ315А |
|
Транзистор биполярный усилительный NPN, 25V, 0.1 A, hFE = 30 кремниевый ...
|
|
12 960
|
7.56
|
|
|
|
|
КТ315А |
|
Транзистор биполярный усилительный NPN, 25V, 0.1 A, hFE = 30 кремниевый ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ315А |
|
Транзистор биполярный усилительный NPN, 25V, 0.1 A, hFE = 30 кремниевый ...
|
ОАО «НАЛЬЧИКСКИЙ ЗАВОД ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ»
|
|
|
|
|
|
|
КТ361А |
|
Транзисторы кремниевые малой мощности структуры P-N-P высокочастотные
|
|
5 419
|
6.30
|
|
|
|
|
КТ361А |
|
Транзисторы кремниевые малой мощности структуры P-N-P высокочастотные
|
ТОМСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ361А |
|
Транзисторы кремниевые малой мощности структуры P-N-P высокочастотные
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
2 816
|
15.12
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
507
|
13.61
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
2 263
|
27.75
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
480
|
28.35
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
3 729
|
37.80
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
Версия для печати
