Версия для печати
Технические характеристики BZX384-B5V1

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	5.1V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 100mA
Current - Reverse Leakage @ Vr	2µA @ 2V
Допустимые отклонения емкости	±2%
Power - Max	300mW
Impedance (Max) (Zzt)	60 Ohm
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-76, SOD-323
Корпус	SOD323
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C

BZX384 Zener Diodes VZ Range 2.4V to 75V Power Dissipation 200mW Также в этом файле: BZX384-B5V1 Производитель: Vishay //www.vishay.com BZX384-B5V1 datasheet 0b

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Стабилитроны

 » 

Стабилитроны - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BCP51-16.115			NXP
		BCP51-16.115			NEX-NXP
		BCP51-16.115
		BCP51-16.115			NXP/NEXPERIA	6	17.07
		FGA25N120ANTD		IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А	FAIR
		FGA25N120ANTD		IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А	FSC
		FGA25N120ANTD		IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А			480.00
		FGA25N120ANTD		IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А	КИТАЙ
		FGA25N120ANTD		IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А	FSC1
		PIC16F648A-I/P		Микроконтроллер PIC; EEPROM:256Б; SRAM:256Б; 20МГц; DIP18; 2÷5,5В,4Kx14 Flash 16I/O	MICRO CHIP
		PIC16F648A-I/P		Микроконтроллер PIC; EEPROM:256Б; SRAM:256Б; 20МГц; DIP18; 2÷5,5В,4Kx14 Flash 16I/O			258.12
		PIC16F648A-I/P		Микроконтроллер PIC; EEPROM:256Б; SRAM:256Б; 20МГц; DIP18; 2÷5,5В,4Kx14 Flash 16I/O	Microchip Technology
		PIC16F648A-I/P		Микроконтроллер PIC; EEPROM:256Б; SRAM:256Б; 20МГц; DIP18; 2÷5,5В,4Kx14 Flash 16I/O	MICRO CHIP
		PIC16F648A-I/P		Микроконтроллер PIC; EEPROM:256Б; SRAM:256Б; 20МГц; DIP18; 2÷5,5В,4Kx14 Flash 16I/O	ТАИЛАНД
		PIC16F648A-I/P		Микроконтроллер PIC; EEPROM:256Б; SRAM:256Б; 20МГц; DIP18; 2÷5,5В,4Kx14 Flash 16I/O	4-7 НЕДЕЛЬ	301
		PIC16F676-I/ST			Microchip Technology
		PIC16F676-I/ST			MICRO CHIP
		PIC16F676-I/ST			MICRO CHIP
		PIC16F676-I/ST
		PIC16F676-I/ST			4-7 НЕДЕЛЬ	494
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...		966	34.96
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	КРЕМНИЙ	1 560	32.79
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ТРАНЗИСТОР
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	БРЯНСК	363	38.16
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	МИНСК	2 579	38.16
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ЗПП МИНСК
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	RUS
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	3580
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	702

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"