Версия для печати
Технические характеристики SK063M2R20B2F-0511

Производитель	Yageo Corporation
Допуск емкости	±20%
Номинальное напряжение	63 В
Ток утечки	3 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь	0.09
Максимальный ток пульсаций	29 А
Шаг выводов	2 мм
Срок службы	2000 Ч
Размер корпуса	ф 5x11
Рабочая температура	-40...85 °C
	For General
Емкость	2.2 мкФ
Серия	SK
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BT138-800E		Симистор	NXP
		BT138-800E		Симистор		488	10.71
		BT138-800E		Симистор	ФИЛИППИНЫ
		BT138-800E		Симистор	NXP
		BT138-800E		Симистор	PHILIPS	532	75.60
		BT138-800E		Симистор	NXP/NEXPERIA	9	40.85
		BT138-800E		Симистор	WEEN
		BT138-800E		Симистор	NEX-NXP	2	77.92
		ECAP 22/63V 0511 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 22мкФ, 63 В, 105С	JAMICON
		ECAP 22/63V 0511 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 22мкФ, 63 В, 105С			9.60
		ECAP 22/63V 0511 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 22мкФ, 63 В, 105С	JAM
		LG350M0150BPF-2240		Электролитический алюминиевый конденсатор 150 мкФ 350 В	YAGEO
		LG350M0150BPF-2240		Электролитический алюминиевый конденсатор 150 мкФ 350 В
		LG350M0150BPF-2240		Электролитический алюминиевый конденсатор 150 мкФ 350 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		LG350M0150BPF-2240		Электролитический алюминиевый конденсатор 150 мкФ 350 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SK100M0033B3F-0811		Электролитический алюминиевый конденсатор 33 мкФ 100 В	YAGEO
		SK100M0033B3F-0811		Электролитический алюминиевый конденсатор 33 мкФ 100 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SK100M0033B3F-0811		Электролитический алюминиевый конденсатор 33 мкФ 100 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS	16	52.27
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...		6 520	35.09
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	STMicroelectronics
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTR
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	КИТАЙ
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRO
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	4-7 НЕДЕЛЬ	623

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"