Версия для печати
Технические характеристики 1N5355B

Рабочая температура	-65°C ~ 150°C
Корпус	T-18
Корпус (размер)	T-18, Axial
Тип монтажа	Выводной
Impedance (Max) (Zzt)	2.5 Ohm
Power - Max	5W
Допустимые отклонения емкости	±5%
Current - Reverse Leakage @ Vr	500nA @ 13V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.2V @ 1A
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	18V
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Tolerance	±5%
Серия	Surmetic™

1N53xxB 5 Watt SurmeticE 40 Zener Voltage Regulators Также в этом файле: 1N5355B Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com 1N5355B datasheet 67.06Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Стабилитроны

 » 

Стабилитроны - одиночные

Синонимы от поставщиков: 1N5355B ; 1N-5355B ; 1N 5355B ; 1N — 5355B ; 1N5355B ; диод 1N5355B ;

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	VISHAY	56	42.05
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А		1 657	24.52
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS SEMI
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	Vishay/Siliconix
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	STMicroelectronics
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	КИТАЙ
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	IR/VISHAY
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	MINOS	2 076	28.29
		L7818CV		Стабилизатор напряжения +18V 1A	ST MICROELECTRONICS	3 237	18.64
		L7818CV		Стабилизатор напряжения +18V 1A	SGS
		L7818CV		Стабилизатор напряжения +18V 1A			32.92
		L7818CV		Стабилизатор напряжения +18V 1A	STMicroelectronics
		L7818CV		Стабилизатор напряжения +18V 1A	КИТАЙ
		L7818CV		Стабилизатор напряжения +18V 1A	ST MICROELECTR
		L7818CV		Стабилизатор напряжения +18V 1A	ST MICROELECTRONICS SEMI	16
		L7818CV		Стабилизатор напряжения +18V 1A	STMICROELECTR
		L7818CV		Стабилизатор напряжения +18V 1A	4-7 НЕДЕЛЬ	128
		TIP137		Транзистор биполярный — составной PNP, дарлингтон, 100В, 8A, 70Вт	FAIR
		TIP137		Транзистор биполярный — составной PNP, дарлингтон, 100В, 8A, 70Вт	ST MICROELECTRONICS	133	152.68
		TIP137		Транзистор биполярный — составной PNP, дарлингтон, 100В, 8A, 70Вт		8	90.72
		TIP137		Транзистор биполярный — составной PNP, дарлингтон, 100В, 8A, 70Вт	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TIP137		Транзистор биполярный — составной PNP, дарлингтон, 100В, 8A, 70Вт	STMicroelectronics
		TIP137		Транзистор биполярный — составной PNP, дарлингтон, 100В, 8A, 70Вт	ST MICROELECTRO
		TIP137		Транзистор биполярный — составной PNP, дарлингтон, 100В, 8A, 70Вт	1
		КС536А1		стекло		980	110.40
		КС536А1		стекло	НЗПП
		КС536А1		стекло	СЗТП	80	181.44
		КС536А1		стекло	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		1 875	30.36
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК	6 208	37.80
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЗПП МИНСК
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЭКСИТОН
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	VBYCR

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"