| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
NXP
|
2 554
|
1.49
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
|
|
4.20
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
KEMET
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
NXP
|
626
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
PHILIPS
|
18 448
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
JSCJ
|
154 832
|
2.23
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
TOP DIODE
|
81 600
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
КП306Б |
|
|
|
66
|
241.80
|
|
|
|
КП306Б |
|
|
ВИННИЦА
|
|
|
|
|
|
КП306Б |
|
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
КП306Б |
|
|
НОВОРОСИЙСК
|
|
|
|
|
|
КП307А |
|
Транзистор кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
|
80
|
49.19
|
|
|
|
КП307А |
|
Транзистор кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
КП327А |
|
|
|
|
57.60
|
|
|
|
КП327А |
|
|
ВИННИЦА
|
|
|
|
|
|
КТ399АМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ...
|
|
|
38.20
|
|
|
|
КТ399АМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ...
|
СВЕТЛАНА
|
266
|
41.38
|
|
|
|
КТ399АМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ...
|
RUS
|
|
|
|