РГ08-10700КГЦ
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BAV99BRW (0.3А 75В) | DIODES |
|
|
|||||
 |
 |
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц | NXP |
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц |
|
4.20 | ||
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц | KEMET |
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц | NXP | 626 |
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц | PHILIPS | 18 448 |
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц | HOTTECH |
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц | JSCJ | 233 072 | 1.02 | |
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц | TOP DIODE | 81 600 | 1.06 | |
 |
КП306Б | 66 | 240.50 | |||||
|
|
КП306Б | ВИННИЦА |
|
|
||||
|
|
КП306Б | НОВОСИБИРСК |
|
|
||||
|
|
КП306Б | НОВОРОСИЙСК |
|
|
||||
 |
КП307А |
|
Транзистор кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ... | 80 | 49.19 | |||
|
|
КП307А |
|
Транзистор кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ... | ФОТОН |
|
|
||
 |
КП327А |
|
57.60 | |||||
|
|
КП327А | ВИННИЦА |
|
|
