NCP1396ADR2G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NCP1396ADR2G (ONS)	15	87.12

Версия для печати

Технические характеристики NCP1396ADR2G

Корпус (размер)	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 15 leads
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Isolated	Да
Cuk	Нет
Divider	Нет
Doubler	Нет
Inverting	Нет
Boost	Нет
Flyback	Нет
Buck	Нет
Напряжение питания	10.5 V ~ 20 V
Duty Cycle	52%
Частота -макс.	575kHz
Число выходов	1
PWM Type	Voltage Mode
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	Package Pin Removal 11/Feb/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
EL817		EVERLIGHT
EL817		EVE
EL817			7	22.20
EL817		EVL	5 194	8.95
EL817		4-7 НЕДЕЛЬ	746
NCP1207ADR2G		ON SEMICONDUCTOR
NCP1207ADR2G
NCP1207ADR2G		ONS
NCP1207ADR2G		ON SEMICONDUCTOR
NCP1207ADR2G		ON SEMICONDUCTO
NCP1207ADR2G		4-7 НЕДЕЛЬ	156
SPA04N60C3	MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	INFINEON
SPA04N60C3	MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...			166.40
SPA04N60C3	MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...			166.40
SPA04N60C3	MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	Infineon Technologies
SPA04N60C3	MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	INFINEON
SPA04N60C3	MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	INFINEON TECH
W25Q16BVSIG
W25Q16BVSIG
W25Q16BVSIG		4-7 НЕДЕЛЬ	767
ПЛК-9Э-55	Ламповая панель для вставления электровакуумных приборов в радиоэлектронной аппаратуре			114.00