| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
|
172
|
94.38
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
SOLID STATE DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
CENTRAL SEMI
|
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
CENTRAL SEMI
|
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
9
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
|
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
B57164K100K |
|
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
|
B57164K100K |
|
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
|
IRF7103 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF7103 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)
|
|
|
47.92
|
|
|
|
|
IRF7103 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF7103 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
IRF7103 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
|
78 356
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
DIC
|
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
NXP
|
1 120
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
---
|
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
YJ
|
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
HOTTECH
|
79 456
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
KLS
|
111
|
1.26
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
LGE
|
10 400
|
1.03
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
SUNTAN
|
77
|
1.66
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
SEMTECH
|
26
|
1.29
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
PANJIT
|
24
|
2.19
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
KOME
|
17
|
1.41
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
CTK
|
124 975
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC
|
22 378
|
2.60
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JIANGSU CHANJIANG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES INC.
|
16
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIRCHILD
|
48
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
|
48 854
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
HOTTECH
|
13 386
|
1.08
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
YJ
|
44 882
|
1.88
>100 шт. 0.94
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JSCJ
|
12 204
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ASEMI
|
7 852
|
1.02
|
|
Версия для печати
