![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 3.9A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.5A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 700pF @ 25V |
Power - Max | 74W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRF9630PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1206-NP0-50-0.01МКФJ | HITANO |
![]() |
![]() |
|||||
1206-NP0-50-0.01МКФJ | MURATA |
![]() |
![]() |
|||||
1206-Y5V-0.22МКФ50В-20%+80% | SAMSUNG | 800 | 5.67 | |||||
![]() |
![]() |
VS-40TPS12PBF |
![]() |
Тиристор SCR 1200В, 35A, Igt=150mA | VISHAY |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
VS-40TPS12PBF |
![]() |
Тиристор SCR 1200В, 35A, Igt=150mA | VISHAY/IR |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
VS-40TPS12PBF |
![]() |
Тиристор SCR 1200В, 35A, Igt=150mA |
![]() |
![]() |
||
![]() |
КТ850Б | КРЕМНИЙ | 400 | 58.59 | ||||
![]() |
КТ850Б | 216 | 16.65 | |||||
![]() |
КТ850Б | БРЯНСК |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
КТ851Б |
![]() |
43.20 | |||||
![]() |
КТ851Б | КРЕМНИЙ | 80 | 75.60 | ||||
![]() |
КТ851Б | БРЯНСК |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|