|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC337-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC337-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC337-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
BC337-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC337-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...
|
DIC
|
|
|
|
|
|
BC337-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC337-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BC337-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
25 992
|
3.04
|
|
|
|
BC337-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC337-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC337-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
BC337-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...
|
PHILIPS
|
88
|
|
|
|
|
BC337-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BC337-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...
|
|
9
|
12.60
|
|
|
|
BC337-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC337-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...
|
KLS
|
2 710
|
1.99
|
|
|
|
BC337-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
BC337-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC337-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BC337-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BC337-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...
|
SEMTECH
|
16
|
2.72
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
20 300
|
1.97
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
8
|
2.10
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
2 404
|
1.82
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
3 046
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
2 130
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIODES INC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
|
110 357
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
646
|
1.09
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
153 184
|
1.38
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
LRC
|
1 920
|
2.52
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KOME
|
10
|
1.60
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
210 913
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SEMTECH
|
36 637
|
1.43
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YJ
|
360 033
|
1.19
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
TRR ELECTRONICS
|
343
|
1.22
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NEXPERIA
|
38 436
|
1.40
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
16
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
XXW
|
47 030
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
|
|
34.40
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LQH32MN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 190мА (1210)
|
|
1
|
86.40
|
|
|
|
LQH32MN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 190мА (1210)
|
MURATA
|
16 525
|
11.18
|
|
|
|
LQH32MN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 190мА (1210)
|
MUR
|
180
|
5.53
|
|
|
|
РУЧКА KA483-6 СЕРЫЙ-ЖЁЛТЫЙ 6ММ |
|
|
YRE
|
|
|
|
|
|
РУЧКА KA483-6 СЕРЫЙ-ЖЁЛТЫЙ 6ММ |
|
|
|
|
|
|