SQP-10W10KJ (10ВТ,10К,5%)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
11DQ10	Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).	VISHAY
11DQ10	Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).	INTERNATIONAL RECTIFIER
11DQ10	Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).	EIC	2 616	9.16
11DQ10	Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).		5	18.50
11DQ10	Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).	Vishay/Semiconductors
11DQ10	Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).	КИТАЙ
2SK956	Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W	FUJITSU
2SK956	Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W	FUJI ELECTRIC	4	284.99
2SK956	Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W			228.48
2SK956	Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W	FUJI
2SK956	Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W	FUJ
2SK956	Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W	МАЛАЙЗИЯ
BS108	Транзистор полевой N-MOS 200В 0.23A	ON SEMICONDUCTOR	52	8.61
BS108	Транзистор полевой N-MOS 200В 0.23A	NXP
BS108	Транзистор полевой N-MOS 200В 0.23A			28.04
BS108	Транзистор полевой N-MOS 200В 0.23A	ONS
PS2501-2-A	Оптопара, 2 канала, коэф.передачи=80:600%, Iпр=80мА, Uкэ=80В, Uизол=5000В AC, 8-pin ...
PS2501-2-A	Оптопара, 2 канала, коэф.передачи=80:600%, Iпр=80мА, Uкэ=80В, Uизол=5000В AC, 8-pin ...	CEL
К155ПР7			1	27.75
К155ПР7		ЭКСПОРТ