BC369

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
BC369	72	22.68
BC369 (KOREA ELECTRONICS)	8	6.75
BC369 (NXP.)	16	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BC369

Корпус	TO-92-3
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Тип монтажа	Выводной
Frequency - Transition	45MHz
Power - Max	625mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	85 @ 500mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	20V
Current - Collector (Ic) (Max)	1.5A
Transistor Type	PNP
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC369 (Импульсные биполярные NPN транзисторы)

PNP Silicon AF Transistor

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

BC369 datasheet
129.83Kb
4стр.

Наименование	Описание	Производитель	Цена, руб.
1000МКФ 25 (10X21)105°C	Конденсатор электролитический 1000мкФ, 25В
220МКФ 35 (8X11)105°C
22МКФ 50 (5X11)105°C
3.3МКФ 50 (5X11)105°C
R2KN	Огpаничительный диод Vrm=140V (Vz=150-170V)	SK
R2KN	Огpаничительный диод Vrm=140V (Vz=150-170V)		27.20
R2KN	Огpаничительный диод Vrm=140V (Vz=150-170V)	SANKEN