Версия для печати
Технические характеристики T494D107M006AT

Производитель	KEMET CORPORATION
Номинальное напряжение	6.3 В
Допуск емкости	±20%
Емкость	100 мкФ
Ток утечки	6 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь	0.08
Эквивалентное последовательное сопротивление	150 мОм мОм
Максимальный ток пульсаций	1000 мА
Код корпуса	D
Монтаж	SMD_7343-31
Размер корпуса	7.3x4.3x2.8 мм
Рабочая температура	-55...125 °C
	Low ESR
Серия	T494
Корпус (размер)	7343-31
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Электролитический танталовый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz			90.40
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	ST MICROELECTRONICS
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	SOLID STATE DEVICES
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	CENTRAL SEMI
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	CENTRAL SEMI
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	ST MICROELECTRONICS SEMI	9
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	SIGNETICS
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	STMicroelectronics
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	Micro Commercial Co
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	ГЕРМАНИЯ
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	FSC
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	ONS
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	DIOTEC
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	КИТАЙ	176	10.50
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAI/QTC
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAIR
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	NXP
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FSC
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA			14.92
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAIRCHILD
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAIRCHILD
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	Fairchild Semiconductor
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	ЯПОНИЯ
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FSC1
		CC1206KKX7R7BB105		Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, 10%, 1206, 16В	PHYCOMP
		CC1206KKX7R7BB105		Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, 10%, 1206, 16В	PHYCOMP
		CC1206KKX7R7BB105		Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, 10%, 1206, 16В	Yageo	7 200	2.79
		CC1206KKX7R7BB105		Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, 10%, 1206, 16В			10.76
		CC1206ZKY5V8BB106		Керамический конденсатор 10 мкФ 25 В	YAGEO	1 529	2.45
		CC1206ZKY5V8BB106		Керамический конденсатор 10 мкФ 25 В
		RC1206JR-078R2L			YAGEO	33 216	1.94  >100 шт.   0.97
		RC1206JR-078R2L			YAGEO
		RC1206JR-078R2L

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"