|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 7 V ~ 36 V, ±3.5 V ~ 18 V |
| Ток выходной | 1.4mA |
| Напряжение входного смещения | 3000µV |
| Ток - входного смещения | 30pA |
| Полоса пропускания | 3MHz |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 13 V/µs |
| Число каналов | 2 |
| Тип усилителя | J-FET |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BD238 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 2A 25W >3MHz |
|
37.88 | |||
|
|
BD238 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 2A 25W >3MHz | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||
|
|
BD238 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 2A 25W >3MHz | STMicroelectronics |
|
|
||
|
|
BD238 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 2A 25W >3MHz | CDIL |
|
|
||
|
|
|
ZTX458 |
|
Diodes/Zetex |
|
|
||
|
|
|
ZTX458 |
|
|
|
|||
|
|
|
ZTX458 |
|
DI |
|
|
||
|
|
|
ZTX458 |
|
DIODES |
|
|
||
| КД134ВС9 | ПЛАНЕТА | 10 985 | 6.30 | |||||
| КД134ВС9 |
|
24.00 | ||||||
| МГТФ 0,12ММ |
|
|
||||||
| МГТФ 0,35ММ |
|
|