Версия для печати
Технические характеристики IRLD024

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 1.5A, 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	18nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	870pF @ 25V
Power - Max	1.3W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус	4-DIP, Hexdip, HVMDIP

IRLD024 (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet (vdss=60v, Rds (on) =0.10ohm, Id=2.5a) Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRLD024 datasheet 173.9Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AD8031ARZ		Операционный усилитель, 80МГц, Iпот.=800мкА, -40°C - +85°C	ANALOG DEVICES
		AD8031ARZ		Операционный усилитель, 80МГц, Iпот.=800мкА, -40°C - +85°C			360.00
		AD8031ARZ		Операционный усилитель, 80МГц, Iпот.=800мкА, -40°C - +85°C	Analog Devices Inc
		AD8031ARZ		Операционный усилитель, 80МГц, Iпот.=800мкА, -40°C - +85°C	КИТАЙ
		AD8031ARZ		Операционный усилитель, 80МГц, Iпот.=800мкА, -40°C - +85°C	США
		AD8031ARZ		Операционный усилитель, 80МГц, Iпот.=800мкА, -40°C - +85°C	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		AD8031ARZ		Операционный усилитель, 80МГц, Iпот.=800мкА, -40°C - +85°C	ANALOG DEVICES
		AD8031ARZ		Операционный усилитель, 80МГц, Iпот.=800мкА, -40°C - +85°C	AD1
		AD8031ARZ		Операционный усилитель, 80МГц, Iпот.=800мкА, -40°C - +85°C	ANALOG
		AD8031ARZ		Операционный усилитель, 80МГц, Iпот.=800мкА, -40°C - +85°C	4-7 НЕДЕЛЬ	518
		LD1117AS18TR			ST MICROELECTRONICS	601	48.86
		LD1117AS18TR					82.00
		LD1117AS18TR			ST MICROELECTRONICS SEMI	1 473
		LD1117AS18TR			STMicroelectronics
		LD1117AS18TR			4-7 НЕДЕЛЬ	563
		LD1117S50CTR			ST MICROELECTRONICS	7 915	19.24
		LD1117S50CTR				1 760	10.80
		LD1117S50CTR			ST MICROELECTRONICS SEMI	81
		LD1117S50CTR			STMicroelectronics
		LD1117S50CTR			ST MICROELECTRO
		LD1117S50CTR			TEXAS INSTRUMENTS	8	13.81
		LD1117S50CTR			4-7 НЕДЕЛЬ	725
		LPC1758FBD80			NXP
		LPC1758FBD80					1 620.00
		LPC1758FBD80			ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		LPC1758FBD80			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		LPC1758FBD80			NXP	60
		LPC1758FBD80			4-7 НЕДЕЛЬ	751
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц		3 738	38.64
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	МИНСК	14 712	46.20
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ЗПП МИНСК
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ	2 080	84.72
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	RUS
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	РОССИЯ	6	60.91

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"