Версия для печати
Технические характеристики 1N5339B

Рабочая температура	-65°C ~ 150°C
Корпус	T-18
Корпус (размер)	T-18, Axial
Тип монтажа	Выводной
Impedance (Max) (Zzt)	1 Ohm
Power - Max	5W
Допустимые отклонения емкости	±5%
Current - Reverse Leakage @ Vr	1µA @ 2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.2V @ 1A
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	5.6V
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Tolerance	±5%
Product Change Notification	Specification Update Storage Temp Range 14/Aug/2008
Серия	Surmetic™

1N53xxB 5 Watt SurmeticE 40 Zener Voltage Regulators Также в этом файле: 1N5339B Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com 1N5339B datasheet 67.06Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Стабилитроны

 » 

Стабилитроны - одиночные

Синонимы от поставщиков: 1N5339B ; 1N-5339B ; 1N 5339B ; 1N — 5339B ; 1N5339B ; диод 1N5339B ;

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1206-X7R-100PF 10% 2000V		Керамический конденсатор 100 пФ 2000 В	KOME
		1206-X7R-100PF 10% 2000V		Керамический конденсатор 100 пФ 2000 В			15.44
		24C16-P/I2.7			ATMEL
		7809 (L7809CV)			ST MICROELECTRONICS
		7809 (L7809CV)			UMW
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	GENERAL SEMICONDUCTOR
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	DC COMPONENTS	68 848	2.25
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	MASTER INSTRUMENT CO
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	FAIR
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	GENERAL INSTRUMENT
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	JIFU SEMICONDUCTOR
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	FAIRCHILD
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	MCC
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	GALAXY
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	FAIRCHILD
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	OTHER
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	Fairchild Semiconductor
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	YJ	263 988	1.68
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	КИТАЙ
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс		40 894	1.05
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	MIC
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	ONS-FAIR
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	ONS	5 024	12.78
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	ON SEMICONDUCTOR
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	GALAXY ME	2 904	5.45
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	HOTTECH	137 481	1.23
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	YANGJIE	16 000	1.70
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	YANGJIE (YJ)
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	JSCJ	77	3.27
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	1
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	MDD	54 799	1.03
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	TRR	352 000	1.66  >100 шт.   0.83
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	КРЕМНИЙ	191	850.50
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А		29	629.00
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	БРЯНСК	193	1 312.50
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	СИТ
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"