OP484FS
Счетверённый прецизионный ОУ, 4МГц, R-to-R I/O
|
4 ОУ бипл., вх./вых. размах до шин питания, 4,25 МГц, 4 В/мкс, Uсм = 0,25 мВ, 0,2 мкВ/°С, 3,9 нВ/VГц, Iвх = 80 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 2 мА, Uп = 3...36 В, -40...+125°C, SOIC14. |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | RoHS non-compliant |
| Тип усилителя | General Purpose |
| Число каналов | 4 |
| Тип выхода | Rail-to-Rail |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 4 V/µs |
| Полоса пропускания | 4.25MHz |
| Ток - входного смещения | 80nA |
| Напряжение входного смещения | 250µV |
| Ток выходной | 2.25mA |
| Ток выходной / канал | 10mA |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 3 V ~ 36 V, ±1.5 V ~ 18 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 14-SOIC |
| Output Type | Rail-to-Rail |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1206-LQH31H145NHK | MURATA |
|
|
|||||
 |
 |
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех. | MURATA |
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех. |
|
16.60 | ||
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех. | MURATA |
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех. | MUR |
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех. | Murata Electronics North America |
|
|
|
 |
|
LQH32CN100K53L |
|
Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MURATA |
|
|
|
|
|
|
LQH32CN100K53L |
|
Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) |
|
|
||
|
|
|
LQH32CN100K53L |
|
Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MURATA | 3 840 |
|
|
|
|
|
LQH32CN100K53L |
|
Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | Murata Electronics North America |
|
|
|
|
|
|
LQH32CN100K53L |
|
Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MUR | 8 464 | 5.24 | |
| WF-06M | 52 | 3.64 |
