2SK2466

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SK2466		180.00

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2SK2466 (Полевые МОП транзисторы)

N Channel Mos Type(high Speed, High Voltage Switching, Chopper Regulator, Dc-dc Converter and Motor Drive Applications)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2SK2466 datasheet
297.02Kb
5стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC3423Y		TOSHIBA
2SC3423Y				112.00
BYV42EB-200		NXP
BYV42EB-200
BYV42EB-200		NXP
MBRS1100T3G	SMD диод Шоттки 100V 1A	ON SEMICONDUCTOR	2	21.00
MBRS1100T3G	SMD диод Шоттки 100V 1A	VISHAY
MBRS1100T3G	SMD диод Шоттки 100V 1A			48.64
MBRS1100T3G	SMD диод Шоттки 100V 1A	ONS	3	37.75
MBRS1100T3G	SMD диод Шоттки 100V 1A	ON SEMICONDUCTOR	32
MBRS1100T3G	SMD диод Шоттки 100V 1A	ON SEMICONDUCTO
MBRS1100T3G	SMD диод Шоттки 100V 1A	ONSEMICONDUCTOR
MBRS1100T3G	SMD диод Шоттки 100V 1A	ONSEMI
MBRS1100T3G	SMD диод Шоттки 100V 1A	FUXIN	8 033	5.43
RT315024		TE Connectivity
RT315024		TYCO
RT315024
RT315024		TE
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый		4	340.00
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS SEMI
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	STMicroelectronics
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	КИТАЙ
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRO