KA3361(C)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CF-0.125-150K 5%	Резистор углеродистый	CHINA
CF-0.125-150K 5%	Резистор углеродистый			1.32 >500 шт. 0.44
LM358DR		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM358DR		TEXAS INSTRUMENTS	140	8.32
LM358DR			10 000	4.69
LM358DR		TEXAS INSTRUMENTS
LM358DR		Rohm Semiconductor
LM358DR		PHILIPS
LM358DR		ST MICROELECTRONICS
LM358DR		TEXAS
LM358DR		TEXAS INSTRUMEN
LM358DR		TEXASINSTRUMENTS
LM358DR		ТI
LM358DR		4-7 НЕДЕЛЬ	63
Д814Д1	Стабилитрон в стеклянном корпусе с номинальным напряжением стабилизации 13,0В		17 554	2.07
Д814Д1	Стабилитрон в стеклянном корпусе с номинальным напряжением стабилизации 13,0В	СЗТП	40	21.08
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		374	33.12
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	800	32.79
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	1 607	38.16
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2159
КУ208Г1				80.28
КУ208Г1		СТАРТ	16	25.44
КУ208Г1		СЗТП	8	102.28
КУ208Г1		ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ	227	25.44
КУ208Г1		САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КУ208Г1		20
КУ208Г1		204
КУ208Г1		80