KA3361(C)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CF-0.125-150K 5%	Резистор углеродистый	CHINA
CF-0.125-150K 5%	Резистор углеродистый			1.32 >500 шт. 0.44
LM358DR		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM358DR		TEXAS INSTRUMENTS	108	8.71
LM358DR			1 920	4.69
LM358DR		TEXAS INSTRUMENTS
LM358DR		Rohm Semiconductor
LM358DR		PHILIPS
LM358DR		ST MICROELECTRONICS
LM358DR		TEXAS
LM358DR		TEXAS INSTRUMEN
LM358DR		TEXASINSTRUMENTS
LM358DR		ТI
LM358DR		4-7 НЕДЕЛЬ	63
Д814Д1	Стабилитрон в стеклянном корпусе с номинальным напряжением стабилизации 13,0В		17 298	2.07
Д814Д1	Стабилитрон в стеклянном корпусе с номинальным напряжением стабилизации 13,0В	СЗТП	40	21.08
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		366	33.12
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	800	32.79
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	1 483	38.16
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2159
КУ208Г1				80.28
КУ208Г1		СТАРТ	16	25.44
КУ208Г1		СЗТП	8	102.28
КУ208Г1		ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ	227	25.44
КУ208Г1		САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КУ208Г1		20
КУ208Г1		204
КУ208Г1		80