| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
|
50
|
60.48
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
HGSEMI
|
4 044
|
23.12
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
308
|
|
|
|
|
CD4012BE |
|
Логическая микросхема CMOS , 2 битная, 3...18В
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
CD4012BE |
|
Логическая микросхема CMOS , 2 битная, 3...18В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4012BE |
|
Логическая микросхема CMOS , 2 битная, 3...18В
|
|
4
|
63.00
|
|
|
|
CD4012BE |
|
Логическая микросхема CMOS , 2 битная, 3...18В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4012BE |
|
Логическая микросхема CMOS , 2 битная, 3...18В
|
TEXAS
|
760
|
72.02
|
|
|
|
CD4012BE |
|
Логическая микросхема CMOS , 2 битная, 3...18В
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
CD4012BE |
|
Логическая микросхема CMOS , 2 битная, 3...18В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
380
|
|
|
|
|
|
HCF4050BEY |
|
Стандартная логика HEX NON-INVERTING BUFFERS -40/+85 C
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
HCF4050BEY |
|
Стандартная логика HEX NON-INVERTING BUFFERS -40/+85 C
|
|
|
106.64
|
|
|
|
|
HCF4050BEY |
|
Стандартная логика HEX NON-INVERTING BUFFERS -40/+85 C
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
HCF4050BEY |
|
Стандартная логика HEX NON-INVERTING BUFFERS -40/+85 C
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
HCF4050BEY |
|
Стандартная логика HEX NON-INVERTING BUFFERS -40/+85 C
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
HCF4050BEY |
|
Стандартная логика HEX NON-INVERTING BUFFERS -40/+85 C
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
HCF4050BEY |
|
Стандартная логика HEX NON-INVERTING BUFFERS -40/+85 C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
616
|
|
|
|
|
Д814Д1 |
|
Стабилитрон в стеклянном корпусе с номинальным напряжением стабилизации 13,0В
|
|
17 554
|
2.07
|
|
|
|
Д814Д1 |
|
Стабилитрон в стеклянном корпусе с номинальным напряжением стабилизации 13,0В
|
СЗТП
|
40
|
21.08
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
366
|
33.12
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
32.79
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
1 611
|
38.16
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2159
|
|
|
|