| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
|
24
|
128.80
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
ВЛАДИКАВКАЗ
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
СИРИУС
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
СЗТП
|
4
|
166.32
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
БОЛХОВСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
КП305Д |
|
|
|
332
|
240.50
|
|
|
|
КП305Д |
|
|
САРАТОВ
|
|
|
|
|
|
КП305Д |
|
|
РЕФЛЕКТОР
|
240
|
132.30
|
|
|
|
КП305Д |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
|
1 029
|
14.72
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
12.47
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ПЛАНЕТА
|
1 412
|
8.69
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
БРЯНСК
|
2 505
|
17.01
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
МИНСК
|
1 720
|
16.38
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
1
|
4.48
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
132
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
2150
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
3000
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
765
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
212
|
29.44
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
400
|
30.24
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
3 512
|
37.80
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1150
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
3240
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
|
948
|
29.44
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
КРЕМНИЙ
|
3 520
|
54.76
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
БРЯНСК
|
13 749
|
37.80
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
МИНСК
|
8 000
|
37.80
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
1000
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
10000
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
11366
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
27
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
4794
|
|
|
|