|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
КВС111А |
|
|
|
1 897
|
5.55
|
|
|
|
КВС111А |
|
|
ДНЕПР
|
3 654
|
4.20
|
|
|
|
КВС111А |
|
|
ТОМСК
|
25 153
|
4.20
|
|
|
|
КВС111А |
|
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
КВС111А |
|
|
НИИПП
|
800
|
11.34
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
|
15
|
117.18
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
ВЛАДИКАВКАЗ
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
СИРИУС
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
СЗТП
|
4
|
166.32
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
БОЛХОВСКИЙ ЗПП
|
4
|
166.32
|
|
|
|
КТ3107Е |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
|
613
|
4.97
|
|
|
|
КТ3107Е |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
КРЕМНИЙ
|
1 368
|
9.07
|
|
|
|
КТ3107Е |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ3107Е |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
3 900
|
4.20
|
|
|
|
КТ3107Е |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3107Е |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3107Е |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
КТ3107Е |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
МИНСК
|
1
|
4.20
|
|
|
|
КТ3107Е |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
ЭЛЕКС
|
800
|
8.69
|
|
|
|
КТ3107Е |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107Е |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ605БМ |
|
|
|
1 822
|
3.68
|
|
|
|
КТ605БМ |
|
|
ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
КТ605БМ |
|
|
ВОРОНЕЖ
|
13 017
|
6.30
|
|
|
|
КТ605БМ |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ605БМ |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ605БМ |
|
|
ВЗПП
|
1 705
|
17.01
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
|
1 068
|
36.80
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
КРЕМНИЙ
|
323
|
77.10
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
БРЯНСК
|
2 992
|
96.60
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
|
|
|