NRF24L01P-R

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NRF24L01P-R (NORDIC)	5 427	155.24

Версия для печати

Технические характеристики NRF24L01P-R

Производитель	NORDIC SEMICONDUCTOR ASA
Количество в упаковке	4000 шт.
Вес	0.187 г
Степень готовности решения	CHIP
Частотный диапазон	2.4 ГГц
Направление передачи данных	Transceiver
Тип стандарта	Proprietary
Интерфейс	SPI
Скорость связи	2048 кбит/с
Напряжение питания	1.9…3.6 В
Чувствительность приёмника	-85 дБм
Размер	4.0x4.0 мм
	Высокоскоростной пакетный трансивер

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS	1	1.31
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		2 414	1.81
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY, LTD
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR	11 847
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTO
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMICONDUCTOR
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMI
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FUXIN	61 992	1.33
MBR0540T1G	Диод Шоттки 40V 0,5A	FAI/QTC
MBR0540T1G	Диод Шоттки 40V 0,5A	ON SEMICONDUCTOR
MBR0540T1G	Диод Шоттки 40V 0,5A	ONS	304	15.50
MBR0540T1G	Диод Шоттки 40V 0,5A		5 440	7.48
MBR0540T1G	Диод Шоттки 40V 0,5A	ON SEMICONDUCTOR	12 084
MBR0540T1G	Диод Шоттки 40V 0,5A	ON SEMICONDUCTO
MBR0540T1G	Диод Шоттки 40V 0,5A	ONS-FAIR
MBR0540T1G	Диод Шоттки 40V 0,5A	ONSEMICONDUCTOR
MBR0540T1G	Диод Шоттки 40V 0,5A	FUXIN	9 890	3.22
MC33063ADR	DC / DC преобразователь инвертирующий 3 ... 40В / 1.5A, - 40 .... +85 C	TEXAS INSTRUMENTS	5 347	16.53
MC33063ADR	DC / DC преобразователь инвертирующий 3 ... 40В / 1.5A, - 40 .... +85 C		11 940	17.94
MC33063ADR	DC / DC преобразователь инвертирующий 3 ... 40В / 1.5A, - 40 .... +85 C	TEXAS
MC33063ADR	DC / DC преобразователь инвертирующий 3 ... 40В / 1.5A, - 40 .... +85 C	TEXAS INSTRUMENTS	297
MC33063ADR	DC / DC преобразователь инвертирующий 3 ... 40В / 1.5A, - 40 .... +85 C	ON SEMICONDUCTOR
MC33063ADR	DC / DC преобразователь инвертирующий 3 ... 40В / 1.5A, - 40 .... +85 C	TEXAS INSTRUMEN
MC33063ADR	DC / DC преобразователь инвертирующий 3 ... 40В / 1.5A, - 40 .... +85 C	TEXASINSTRUMENTS
MC33063ADR	DC / DC преобразователь инвертирующий 3 ... 40В / 1.5A, - 40 .... +85 C	YOUTAI	9 836	9.91
MC33063ADR	DC / DC преобразователь инвертирующий 3 ... 40В / 1.5A, - 40 .... +85 C	4-7 НЕДЕЛЬ	742
MC33063ADR	DC / DC преобразователь инвертирующий 3 ... 40В / 1.5A, - 40 .... +85 C	636
RC0603JR-07100RL		YAGEO	287 776	0.75 >1000 шт. 0.15
RC0603JR-07100RL		YAGEO	116 128
RC0603JR-07100RL		PHYCOMP
RC0603JR-07100RL
SFH487P	Инфракрасный светодиод 5мм фиолетовый 130°	SIEMENS
SFH487P	Инфракрасный светодиод 5мм фиолетовый 130°	SIEMENS
SFH487P	Инфракрасный светодиод 5мм фиолетовый 130°	OSRAM
SFH487P	Инфракрасный светодиод 5мм фиолетовый 130°	OSRAM Opto Semiconductors Inc
SFH487P	Инфракрасный светодиод 5мм фиолетовый 130°			107.32
SFH487P	Инфракрасный светодиод 5мм фиолетовый 130°	МАЛАЙЗИЯ