| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
|
20 968
|
1.39
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
YI
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
ST MICROELECTRONICS
|
244
|
2.20
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
БРЕСТ
|
695
|
2.12
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
DCCOMP
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
SUNTAN
|
4 977
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
ASEMI
|
1 224
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
305
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
|
23 822
|
1.39
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
DC COMPONENTS
|
24 036
|
1.06
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
БРЕСТ
|
5 600
|
1.06
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
HOTTECH
|
47 121
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
SEMTECH
|
962
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
HIS0169B |
|
SMPS упpавление SMR 40200 C
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
HIS0169B |
|
SMPS упpавление SMR 40200 C
|
|
|
87.68
|
|
|
|
HIS0169B |
|
SMPS упpавление SMR 40200 C
|
SAM
|
|
|
|
|
|
HIS0169B |
|
SMPS упpавление SMR 40200 C
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
HIS0169B |
|
SMPS упpавление SMR 40200 C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
464
|
|
|
|
|
|
Д R2KN(VZ=150-170 V) |
|
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
|
Д R2KN(VZ=150-170 V) |
|
|
|
|
46.80
|
|
|
|
|
Д R2KN(VZ=150-170 V) |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
84
|
222.53
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
1
|
340.20
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
53
|
275.60
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЭЛЬТАВ
|
|
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЭПЛ
|
|
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
130
|
|
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2
|
|
|
|