КМ5Б-Н90В-0.1МКФ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ВП1-1 2А	Вставка плавкая для защиты электрических сетей от перегрузок и токов короткого ...		2 208	19.37
ВП1-1 2А	Вставка плавкая для защиты электрических сетей от перегрузок и токов короткого ...	РАДИОДЕТАЛЬ	3 840	23.11
КИПД21П-К	Полупроводниковые светодиодные индикаторы, для использования в аппаратуре широкого ...		1	9.25
КИПД21П-К	Полупроводниковые светодиодные индикаторы, для использования в аппаратуре широкого ...	ПЛАНЕТА СИД
КМ5Б-Н30В-0.01МКФ
КТ361В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный		32 476	1.85
КТ361В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный	КРЕМН
КТ361В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный	КРЕМНИЙ
КТ361В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный	ТОМСК	833	2.10
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		2	37.00
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК	7 621	37.80
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР МИНСК
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЗПП МИНСК
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ-С