| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
|
24 069
|
1.29
|
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
DC COMPONENTS
|
15 488
|
1.72
|
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
YJ
|
|
|
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
YANGJIE
|
320
|
2.26
|
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
KEEN SIDE
|
1 600
|
1.08
|
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
RUME
|
8 800
|
1.18
|
|
|
|
|
КД213Г |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
|
270
|
35.15
|
|
|
|
|
КД213Г |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
|
КД213Г |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
СЗТП
|
8
|
214.72
|
|
|
|
|
КД213Г |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
|
48 500
|
7.40
|
|
|
|
|
КТ315Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ361В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный
|
|
29 831
|
2.77
|
|
|
|
|
КТ361В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ361В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
|
КТ361В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный
|
ТОМСК
|
629
|
2.12
|
|
|
|
|
КТ361В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный
|
787
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
|
20.40
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
7 669
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
1154
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2000
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2276
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2380
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
3398
|
|
|
|
Версия для печати
