К73-9-0.1МКФ 100В (10%)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1МКФ 100В (5X11,НЕПОЛЯРН.)	Электролитический алюминиевый конденсатор 1 мкФ, 100В, 85С			13.60
2SA1930	Биполярный транзистор PNP 180V, 2A, 20W, 200MHz (Comp. 2SC5171)	TOSHIBA
2SA1930	Биполярный транзистор PNP 180V, 2A, 20W, 200MHz (Comp. 2SC5171)			66.84
2SA1930	Биполярный транзистор PNP 180V, 2A, 20W, 200MHz (Comp. 2SC5171)	TOS
2SA1930	Биполярный транзистор PNP 180V, 2A, 20W, 200MHz (Comp. 2SC5171)	КИТАЙ
BD135	Транзистор NPN 45V 1,5A, 12,5W, B:40-250, 50 MHz	ST MICROELECTRONICS
BD135	Транзистор NPN 45V 1,5A, 12,5W, B:40-250, 50 MHz			10.00
BD135	Транзистор NPN 45V 1,5A, 12,5W, B:40-250, 50 MHz	STMICROELECTRONICS
BD135	Транзистор NPN 45V 1,5A, 12,5W, B:40-250, 50 MHz	ON Semiconductor
BD135	Транзистор NPN 45V 1,5A, 12,5W, B:40-250, 50 MHz	ST1
BD135	Транзистор NPN 45V 1,5A, 12,5W, B:40-250, 50 MHz	ST MICROELECTRO
BD135	Транзистор NPN 45V 1,5A, 12,5W, B:40-250, 50 MHz	NXP
BD135	Транзистор NPN 45V 1,5A, 12,5W, B:40-250, 50 MHz	JSCJ	9 628	6.35
CF-0.25-820 5%	Резистор углеродистый	CHINA
CF-0.25-820 5%	Резистор углеродистый			1.12 >100 шт. 0.56
IRGP20B120UD-EP	IGBT 1200В 20А 5-40кГц	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRGP20B120UD-EP	IGBT 1200В 20А 5-40кГц			1 176.00
IRGP20B120UD-EP	IGBT 1200В 20А 5-40кГц	INFINEON