| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BD139-16STU |
|
Биполярный транзистор - [SOT-32-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 80 В; UКЭ(пад): 500 мВ; ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BD139-16STU |
|
Биполярный транзистор - [SOT-32-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 80 В; UКЭ(пад): 500 мВ; ...
|
|
|
28.00
|
|
|
|
BD139-16STU |
|
Биполярный транзистор - [SOT-32-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 80 В; UКЭ(пад): 500 мВ; ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
VISHAY
|
292
|
200.39
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
ISIL
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
SILICONIX
|
19
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
|
|
155.76
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
1
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
26
|
92.13
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MIC
|
5 876
|
22.39
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YJ
|
7 380
|
19.50
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
|
3 512
|
21.41
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
264
|
54.92
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KLS
|
26 758
|
30.27
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
33 680
|
24.36
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
304
|
16.13
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MERRYELC
|
1 243
|
15.97
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
TRR
|
960
|
16.17
|
|
|
|
MF-1 680 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 680Ом, 5%, 1Вт
|
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
HI-SINCERITY
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
FSC
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
PHILIPS
|
266
|
12.49
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
|
1 843
|
1.68
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
BR
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
CHINA
|
7 040
|
1.41
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
HOTTECH
|
7 200
|
1.50
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
LGE
|
59 200
|
1.41
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
1
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
351
|
1
|
1.60
|
|