MF-0.5 91 5%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4007S (УКОР.ВЫВОДЫ 20ММ)		КИТАЙ
1N4007S (УКОР.ВЫВОДЫ 20ММ)		GALAXY
1N4007S (УКОР.ВЫВОДЫ 20ММ)		GALAXY ME
SN016M0022B2F-0511	Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 16 В	YAGEO	1	2.50
SN016M0022B2F-0511	Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 16 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
SN016M0022B2F-0511	Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 16 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
КР140УД1208			16	44.16
КР140УД1208		КИЕВ
КР140УД1208		КВАЗАР	158	53.00
КР140УД1208		МИКРОН
КР140УД1208		МИКРО-М	2 085	185.98
КР140УД1208		КВАДР
КР140УД1208		КОНТИНЕНТ	40	63.60
КР140УД1208		УКРАИНА
КР140УД1208		МИКРО М
КР140УД1208		RUS
КР140УД1208		МИКРОМ
КР140УД1208		1337
КР140УД1208		2
КР140УД1208		298
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		2 126	33.30
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	880	26.55
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	1 451	38.16
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК	431	25.44
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1801
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	290
СП3-38Б-0,125 4,7К 20%