Версия для печати

TC4007UBF CMOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC Также в этом файле: TC4007UBP Производитель: Toshiba Semiconductor //www.semicon.toshiba.co.jp 4007UB datasheet 169.01Kb 4стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		TRS-8		DIP панель 8-контактная цанговая узкая 7.62 мм, шаг 2.54 мм, до 500В кратковременно			46.40
		TRS-8		DIP панель 8-контактная цанговая узкая 7.62 мм, шаг 2.54 мм, до 500В кратковременно	NXU	6 640	18.60
		TRS-8		DIP панель 8-контактная цанговая узкая 7.62 мм, шаг 2.54 мм, до 500В кратковременно	RUICHI	4	60.50
		TRS-8		DIP панель 8-контактная цанговая узкая 7.62 мм, шаг 2.54 мм, до 500В кратковременно	XINLAIYA	101	33.05
		К176ИЕ4		Cчетчик по модулю 10 с дешифратором для вывода информации на семисегментный индикатор.			17.20
		К176ИЕ4		Cчетчик по модулю 10 с дешифратором для вывода информации на семисегментный индикатор.	ХАБАРОВСК	48	21.00
		К176ИЕ4		Cчетчик по модулю 10 с дешифратором для вывода информации на семисегментный индикатор.	НЗПП
		К176ИЕ4		Cчетчик по модулю 10 с дешифратором для вывода информации на семисегментный индикатор.	НОВОСИБИРСК
		К176ИЕ4		Cчетчик по модулю 10 с дешифратором для вывода информации на семисегментный индикатор.	RUS
		К176ИЕ4		Cчетчик по модулю 10 с дешифратором для вывода информации на семисегментный индикатор.	СПЛАВ	576	70.26
		К555ЛА3		4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА		1 158	34.02
		К555ЛА3		4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	МЕЗОН	552	86.79
		К555ЛА3		4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	МИКРОН
		К555ЛА3		4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	МИОН
		К555ЛА3		4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	RUS
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	ЗПП
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	ИНТЕГРАЛ
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	МЕЗОН
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	МИКРОН
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	ХАБАРОВСК	96	25.20
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	АЗОН
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	ИВАНОВО-ФРАНКОВСК
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	МИНСК
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	ЗПП МИНСК
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	И-ФРАНКОВСК
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	РОДОН
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП		1	16.00
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	RUS
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	НОВОСИБИРСК
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	СПЛАВ
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный		576	11.96
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	МИНСК	6 539	16.80
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП МИНСК
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	БРЯНСК	520	8.40
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	RUS
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	КРЕМНИЙ	800	10.21
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ТРАНЗИСТОР	1 520	48.56

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"