| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
4007UB |
|
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
4007UB |
|
|
|
|
4.20
|
|
|
|
|
4007UB |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
4007UB |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
4007UB |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
4007UB |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
597
|
|
|
 |
|
TRS-8 |
|
DIP панель 8-контактная цанговая узкая 7.62 мм, шаг 2.54 мм, до 500В кратковременно
|
|
|
46.40
|
|
|
|
|
TRS-8 |
|
DIP панель 8-контактная цанговая узкая 7.62 мм, шаг 2.54 мм, до 500В кратковременно
|
NXU
|
6 400
|
22.73
|
|
|
|
|
TRS-8 |
|
DIP панель 8-контактная цанговая узкая 7.62 мм, шаг 2.54 мм, до 500В кратковременно
|
RUICHI
|
4
|
60.50
|
|
|
|
|
TRS-8 |
|
DIP панель 8-контактная цанговая узкая 7.62 мм, шаг 2.54 мм, до 500В кратковременно
|
XINLAIYA
|
82
|
21.72
|
|
|
|
|
К176ИЕ4 |
|
Cчетчик по модулю 10 с дешифратором для вывода информации на семисегментный индикатор.
|
|
16
|
52.92
|
|
|
|
|
К176ИЕ4 |
|
Cчетчик по модулю 10 с дешифратором для вывода информации на семисегментный индикатор.
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
|
К176ИЕ4 |
|
Cчетчик по модулю 10 с дешифратором для вывода информации на семисегментный индикатор.
|
НЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К176ИЕ4 |
|
Cчетчик по модулю 10 с дешифратором для вывода информации на семисегментный индикатор.
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
К176ИЕ4 |
|
Cчетчик по модулю 10 с дешифратором для вывода информации на семисегментный индикатор.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К176ИЕ4 |
|
Cчетчик по модулю 10 с дешифратором для вывода информации на семисегментный индикатор.
|
СПЛАВ
|
576
|
70.26
|
|
|
|
|
К555ЛА3 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА
|
|
1 077
|
34.02
|
|
|
|
|
К555ЛА3 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА
|
МЕЗОН
|
392
|
86.79
|
|
|
|
|
К555ЛА3 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛА3 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА
|
МИОН
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛА3 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
|
576
|
11.96
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
МИНСК
|
6 539
|
16.80
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
БРЯНСК
|
320
|
8.40
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
11.34
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ТРАНЗИСТОР
|
1 120
|
48.56
|
|
Версия для печати
