Версия для печати
Технические характеристики 3266W-1-204

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	Trimpot® 3266 - Sealed
Сопротивление (Ом)	200K
Мощность (Ватт)	0.25W, 1/4W
Допустимые отклонения емкости	±10%
Температурный коэфициент	±100ppm/°C
Number of Turns	12
Adjustment Type	Top Adjustment
Resistive Material	Cermet
Тип монтажа	Выводной
Termination Style	PC Pin
Корпус (размер)	Square - 0.264" L x 0.177" W x 0.285" H (6.71mm x 4.50mm x 7.25mm)
Tolerance	±10%

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Резисторы

 » 

Потенциометры, переменные резисторы

 » 

Триммеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	FAIR
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ST MICROELECTRONICS
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ON SEMICONDUCTOR
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	PHILIPS
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	UTC
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	NXP
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	FAIRCHILD	800	12.47
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	FAIRCHILD	332
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	NXP
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	PHILIPS
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	DC COMPONENTS	15 025	5.34
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	Fairchild Semiconductor
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	STMicroelectronics
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	MOTOROLA
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	КИТАЙ
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)			12.92
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ONS-FAIR
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ONS
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	1
		2SC2001		Биполярный транзистор NPN 30V, 0.7A, 0.6W, 170MHz	NEC
		2SC2001		Биполярный транзистор NPN 30V, 0.7A, 0.6W, 170MHz	DC COMPONENTS
		2SC2001		Биполярный транзистор NPN 30V, 0.7A, 0.6W, 170MHz		1	41.58
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		18	16.23
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	11 791	21.63
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	839	10.21
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	1 048	7.83
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		IRF3205PBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF3205PBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF3205PBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INFINEON	16 366	42.25
		IRF3205PBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...		3 880	26.89
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	VISHAY
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIR
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	HARRIS
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERSIL
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIRCHILD
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIRCHILD
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	HARRIS
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERSIL
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	Vishay/Siliconix
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	КИТАЙ
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	ISIL
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	SILICONIX	19
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W			155.76
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"