МЛТ-2 16 ОМ 5%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
АЛ307АМ	Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные на основе соединений ...			10.00
АЛ307АМ	Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные на основе соединений ...	ПЛАНЕТА
АЛ307АМ	Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные на основе соединений ...	СТАРТ
АЛ307АМ	Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные на основе соединений ...	ПРОТОН	1	9.30
АЛ307АМ	Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные на основе соединений ...	2
К50-24 63 В 470 МКФ
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			20.40
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК	7 030	33.48
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР МИНСК
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЗПП МИНСК
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	1154
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2000
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2276
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2380
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	3398
МЛТ-0,5 2,2К 5%
МЛТ-0.25- 18К 5%