К174УР2Б
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TCA660 (К174УК1) | 192 | 6.30 | ||||||
| К174ХА9, (TCA640) (1990-97Г) |
|
|
||||||
 |
 |
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | 3 815 | 3.40 | ||
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | БОЛОХОВСКИЙ ЗПП |
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | БОЛХОВ |
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | RUS |
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | БОЛХОВСКИЙ ЗПП | 960 | 16.53 | |
 |
КП303Ж |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ... | 941 | 117.18 | |||
|
|
КП303Ж |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ... | ФОТОН | 35 831 | 21.00 | ||
|
|
КП303Ж |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ... | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
||
 |
КП307Б | 83 | 45.36 | |||||
|
|
КП307Б | ФОТОН | 168 | 42.00 |
