ИЖЦ9-6/7

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
ИЖЦ9-6/7	266	18.90

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
25ЛК2Ц-1
25ЛК2Ц-1
ATMEGA169PV-8AU	ИМС Микропроцессор 1.8-5.5V	ATMEL
ATMEGA169PV-8AU	ИМС Микропроцессор 1.8-5.5V
ATMEGA169PV-8AU	ИМС Микропроцессор 1.8-5.5V	ATMEL CORPORATION
ATMEGA169PV-8AU	ИМС Микропроцессор 1.8-5.5V	США
ATMEGA169PV-8AU	ИМС Микропроцессор 1.8-5.5V	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
ATMEGA169PV-8AU	ИМС Микропроцессор 1.8-5.5V	MICRO CHIP
ATMEGA169PV-8AU	ИМС Микропроцессор 1.8-5.5V	4-7 НЕДЕЛЬ	752
ИЖЦ11-6/8Р
ИЖЦ11-6/8Р		ИНТЕГРАЛ
КД103А	Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А		108	30.24
КД103А	Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А	ХЕРСОН
КД103А	Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А	ДНЕПР
КД103А	Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А	RUS
КД103А	Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А	СЗТП
КД103А	Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КД103А	Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КД103А	Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А	ПО "ДНЕПР"	320	51.66
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		2 016	33.30
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	800	24.57
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	1 752	37.80
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР