ПКН61-З2-5-1-15-6

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
ПКН61-З2-5-1-15-6	26	59.34
ПКН61-З2-5-1-15-6	26	59.34

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CL11 0.033UF 100 V 10%
КД103А	Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А		182	15.12
КД103А	Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А	ХЕРСОН
КД103А	Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А	ДНЕПР
КД103А	Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А	RUS
КД103А	Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А	СЗТП
КД103А	Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КД103А	Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КД103А	Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А	ПО "ДНЕПР"	320	51.66
КД521В	Импульсный малосигнальный диод		49 673	2.77
КД521В	Импульсный малосигнальный диод	БРЕСТ	801	1.05
КД521В	Импульсный малосигнальный диод	П/П 1
КД521В	Импульсный малосигнальный диод	МИНСК
КД521В	Импульсный малосигнальный диод	RUS
КД521В	Импульсный малосигнальный диод	СЗТП	80	16.40
КД521В	Импульсный малосигнальный диод	САРАНСК
КД521В	Импульсный малосигнальный диод	П/П 2
КД521В	Импульсный малосигнальный диод	РОССИЯ
КД521В	Импульсный малосигнальный диод	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КД521В	Импульсный малосигнальный диод	СЗТП САРАНСК
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...		933	5.55
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	КРЕМНИЙ	880	11.71
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	СВЕТЛАНА	20 890	4.20
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	БРЯНСК
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	РИГА	4 404	4.20
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	АЛЕКСАНДРОВ
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	НАЛЬЧИК
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	МИНСК
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	RUS
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	ИНТЕГРАЛ
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	2076
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	26113
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	3429
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		1 984	33.30
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	880	26.55
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	1 672	37.80
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1801
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	290