| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IR2113 |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IR2113 |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A
|
|
1
|
222.00
|
|
|
|
|
IR2113 |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
IR2113 |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IR2113 |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
595
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
VISHAY
|
14
|
36.49
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
|
1 099
|
24.52
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
MINOS
|
1 668
|
27.79
|
|
|
|
|
LME49710NA |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LME49710NA |
|
|
|
|
854.40
|
|
|
|
|
LME49710NA |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LME49710NA |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LME49710NA |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
|
LME49710NA |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
752
|
|
|
|
|
|
MJE15032G |
|
NPN 250V, 8A, 50W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MJE15032G |
|
NPN 250V, 8A, 50W
|
|
5
|
194.04
|
|
|
|
|
MJE15032G |
|
NPN 250V, 8A, 50W
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MJE15032G |
|
NPN 250V, 8A, 50W
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
MJE15032G |
|
NPN 250V, 8A, 50W
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MJE15032G |
|
NPN 250V, 8A, 50W
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MJE15032G |
|
NPN 250V, 8A, 50W
|
JSMICRO
|
583
|
44.41
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
|
|
144.00
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ONS
|
128
|
207.52
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
SPTECH
|
771
|
35.77
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
JSMICRO
|
134
|
44.14
|
|
Версия для печати
