| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
NTE ELECTRONICS, INC
|
56
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
|
16 152
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
NTE
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
MOTOROLA
|
266
|
12.49
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
ИНТЕГРАЛ
|
80
|
12.49
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
KEEN SIDE
|
183
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
MERRYELC
|
1 680
|
1.88
>100 шт. 0.94
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
14 503
|
3.30
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
11 326
|
4.04
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
672
|
13.27
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
2 012
|
4.24
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
|
6.68
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
57 320
|
0.65
>1000 шт. 0.13
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
1.01
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 580
|
1.98
>100 шт. 0.99
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KEEN SIDE
|
13 456
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MERRYELC
|
2 000
|
1.98
>100 шт. 0.99
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
|
|
6.36
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 416
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
PHILIPS
|
152
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
HOTTECH
|
80
|
5.17
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
JSCJ
|
4 052
|
2.16
|
|
|
|
IRFP260N |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
238.14
|
|
|
|
IRFP260N |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W
|
|
40
|
279.72
|
|
|
|
IRFP260N |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFP260N |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP260N |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
|
|
40.56
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
MOTOROLA
|
17
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
США
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|