2SK3019TL
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 100mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 13pF @ 5V |
| Power - Max | 150mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-75, SOT-416 |
| Корпус | EMT3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2N7002.215 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт | NXP |
|
|
|
|
|
|
2N7002.215 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт | NEX-NXP | 48 | 3.06 | |
|
|
|
2N7002.215 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт |
|
|
||
| 74LVC1G08GW.125 |
|
Single 2-input and gate SOT353 | NXP |
|
|
|||
| 74LVC1G08GW.125 |
|
Single 2-input and gate SOT353 | NEX-NXP | 1 | 4.10 | |||
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор | ONS | 2 680 | 4.42 | ||
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор |
|
18.40 | |||
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор | ON SEMIC |
|
|
||
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор | ONS-FAIR |
|
|
||
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор | VBSEMI | 9 094 | 3.69 |
