Версия для печати
Технические характеристики BZX384-B5V1

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	5.1V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 100mA
Current - Reverse Leakage @ Vr	2µA @ 2V
Допустимые отклонения емкости	±2%
Power - Max	300mW
Impedance (Max) (Zzt)	60 Ohm
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-76, SOD-323
Корпус	SOD323
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C

BZX384 Zener Diodes VZ Range 2.4V to 75V Power Dissipation 200mW Также в этом файле: BZX384-B5V1 Производитель: Vishay //www.vishay.com BZX384-B5V1 datasheet 0b

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Стабилитроны

 » 

Стабилитроны - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ECAP 22/63V 0511 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 22мкФ, 63 В, 105С	JAMICON
		ECAP 22/63V 0511 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 22мкФ, 63 В, 105С			9.60
		ECAP 22/63V 0511 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 22мкФ, 63 В, 105С	JAM
		FGA25N120ANTD		IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А	FAIR
		FGA25N120ANTD		IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А	FSC
		FGA25N120ANTD		IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А			480.00
		FGA25N120ANTD		IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А	КИТАЙ
		FGA25N120ANTD		IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А	FSC1
		PIC16F648A-I/P		Микроконтроллер PIC; EEPROM:256Б; SRAM:256Б; 20МГц; DIP18; 2÷5,5В,4Kx14 Flash 16I/O	MICRO CHIP	17	273.77
		PIC16F648A-I/P		Микроконтроллер PIC; EEPROM:256Б; SRAM:256Б; 20МГц; DIP18; 2÷5,5В,4Kx14 Flash 16I/O			258.12
		PIC16F648A-I/P		Микроконтроллер PIC; EEPROM:256Б; SRAM:256Б; 20МГц; DIP18; 2÷5,5В,4Kx14 Flash 16I/O	Microchip Technology
		PIC16F648A-I/P		Микроконтроллер PIC; EEPROM:256Б; SRAM:256Б; 20МГц; DIP18; 2÷5,5В,4Kx14 Flash 16I/O	MICRO CHIP
		PIC16F648A-I/P		Микроконтроллер PIC; EEPROM:256Б; SRAM:256Б; 20МГц; DIP18; 2÷5,5В,4Kx14 Flash 16I/O	ТАИЛАНД
		PIC16F648A-I/P		Микроконтроллер PIC; EEPROM:256Б; SRAM:256Б; 20МГц; DIP18; 2÷5,5В,4Kx14 Flash 16I/O	4-7 НЕДЕЛЬ	301
		PIC16F676-I/ST			Microchip Technology
		PIC16F676-I/ST			MICRO CHIP
		PIC16F676-I/ST			MICRO CHIP
		PIC16F676-I/ST
		PIC16F676-I/ST			4-7 НЕДЕЛЬ	494
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...		1 235	31.28
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	КРЕМНИЙ	92	36.02
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ТРАНЗИСТОР
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	БРЯНСК	857	37.80
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	МИНСК	3 370	37.80
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ЗПП МИНСК
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	RUS
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"