Версия для печати
Технические характеристики SS495A1-T3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SS495
Sensing Range	3.125mV Trip, ±0.094mV/G Release
Тип	Linear
Напряжение питания	4.5 V ~ 10.5 V
Ток выходной	8.7mA
Current - Output (Max)	10mA
Тип выхода	Analog, Ratiometric
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C
Корпус (размер)	3-SIP
Корпус	Radial Lead
Output Type	Analog, Ratiometric

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Датчики, сенсоры

 » 

Магнетические

 » 

Датчики эффекта Холла, компасы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAS316/T1			NXP
		BAS316/T1			NEXPERIA
		CD4001BE		Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В	TEXAS INSTRUMENTS	5	27.90
		CD4001BE		Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В	ST MICROELECTRONICS
		CD4001BE		Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В			24.00
		CD4001BE		Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В	TEXAS INSTRUMENTS
		CD4001BE		Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В	TEXAS
		CD4001BE		Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В	TEXAS INSTRUMEN
		CD4001BE		Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В	HGSEMI	2 804	11.48
		CD4001BE		Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В	4-7 НЕДЕЛЬ	428
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А		40 600	2.92
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	КИТАЙ
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH	266 223	2.37
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HUASHUO	13 075	8.31
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KLS
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	52	3.86
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	UMW	3 760	2.07
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	SUNTAN	14 712	4.69
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KEEN SIDE	11 300	2.07
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	2386
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KEXIN	7 200	2.57
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	RUME	91 200	2.90
		MIC5205-3.3YM5 TR		LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ...	MICREL
		MIC5205-3.3YM5 TR		LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ...	Micrel Inc
		MIC5205-3.3YM5 TR		LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ...	MCH/MCRL
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...		993	12.88
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	КРЕМНИЙ	800	12.49
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	СВЕТЛАНА
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	МИНСК
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	БРЯНСК	625	12.72
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	НАЛЬЧИК
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	РИГА
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	RUS
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	1512

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"