| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2.5nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 165pF @ 5V |
| Power - Max | 400mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0805-3.3K 1% |
|
ЧИП — резистор 3.3K 1%
|
|
6 288
|
1.24
|
|
|
|
|
74ACT245DW (IN74ACT245DW) SO20 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
74ACT245DW (IN74ACT245DW) SO20 |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
74ACT245DW (IN74ACT245DW) SO20 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP
|
1 036
|
2.10
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
400
|
4.91
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
76 006
|
2.00
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
|
93 627
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
WTE
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
29 078
|
1.90
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
14 586
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP
|
9 216
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
626
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DIODES INC.
|
1 126
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
80
|
1.45
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NEXPERIA
|
1 584
|
1.21
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
28 792
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
SEMTECH
|
5
|
2.41
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YJ
|
269 188
|
1.03
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
108 000
|
1.17
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YOUTAI
|
11 015
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
JSCJ
|
247 016
|
1.06
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ASEMI
|
16 484
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
39 312
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP(PHILIPS)
|
15 687
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
|
6 995
|
1.75
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
400
|
17.01
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
FAIRCHILD
|
552
|
7.35
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
FAIRCHILD
|
41 634
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
NXP
|
140
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
PHILIPS
|
113
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
DI
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
YJ
|
143 076
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
HOTTECH
|
75
|
1.75
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
JSCJ
|
61 725
|
1.11
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
KEEN SIDE
|
8
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
SN74LVC4245ADBR |
|
|
Texas Instruments
|
|
|
|
|
|
SN74LVC4245ADBR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
SN74LVC4245ADBR |
|
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC4245ADBR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
SN74LVC4245ADBR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
242
|
|
|