Версия для печати
Технические характеристики ILD621GB

Тип выхода	Transistor
Vce Saturation (Max)	400mV
Current - DC Forward (If)	60mA
Ток выходной / канал	50mA
Напряжение выходное	70V
Current Transfer Ratio (Max)	600% @ 5mA
Current Transfer Ratio (Min)	100% @ 5mA
Voltage - Isolation	5300Vrms
Количество каналов	2
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип входа	DC
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type	Transistor

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Оптоэлектроника

 » 

Оптроны

 » 

Фототранзистор

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BLM21PG221SN1D		Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	MURATA	19 985	1.44
		BLM21PG221SN1D		Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C		140	4.68
		BLM21PG221SN1D		Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	MUR	180 964	1.64  >100 шт.   0.82
		BLM21PG221SN1D		Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	MURATA
		BLM21PG221SN1D		Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	Murata Electronics North America
		BLM21PG221SN1D		Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	ЯПОНИЯ
		BLM21PG221SN1D		Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	MURATA*
		EMK107ABJ475KA-T			Taiyo Yuden
		EMK107ABJ475KA-T
		KSZ8001LI TR			MICREL
		LMV431AIMF			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LMV431AIMF					49.24
		LMV431AIMF			NATIONAL SEMICONDUCTOR	40
		LMV431AIMF			TEXAS
		LMV431AIMF			TEXAS INSTRUMENTS
		LMV431AIMF			4-7 НЕДЕЛЬ	771
		T83E476K025EZZL			Vishay/Sprague

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"