Версия для печати
Технические характеристики 330МКФ 400В (30X40)

Номинальное напряжение	400В
Емкость	330 мкФ
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		10CTQ150PBF		Диод Шоттки 150V 10A(2x5)	VISHAY
		10CTQ150PBF		Диод Шоттки 150V 10A(2x5)	Vishay/Semiconductors
		10CTQ150PBF		Диод Шоттки 150V 10A(2x5)	VISHAY/IR
		10CTQ150PBF		Диод Шоттки 150V 10A(2x5)	WUXI XUYANG
		10CTQ150PBF		Диод Шоттки 150V 10A(2x5)		42	111.00
		К73-9-3300ПФ 630В (5%)
		КД2999А		Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс		84	69.92
		КД2999А		Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс	ФОТОН
		КД2999А		Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс	СЗТП	4	325.08
		КД2999А		Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	КРЕМНИЙ	172	956.34
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А		16	552.00
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	БРЯНСК	180	1 312.50
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	СИТ
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	RUS
		КТ825ГМ					96.00
		КТ825ГМ			БРЯНСК

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"