| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
GBU806 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
GBU806 |
|
|
|
|
54.00
|
|
|
|
|
GBU806 |
|
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
|
GBU806 |
|
|
DIODES INC.
|
17
|
|
|
|
|
|
GBU806 |
|
|
YT
|
|
|
|
|
|
|
GBU806 |
|
|
DIODES
|
|
|
|
 |
 |
IRF9520S |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF9520S |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF9520S |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А)
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
|
IRF9520S |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А)
|
|
|
|
|
|
|
|
SG6105D |
|
ШИМ-контроллер для БП
|
SGC
|
|
|
|
|
|
|
SG6105D |
|
ШИМ-контроллер для БП
|
|
|
200.00
|
|
|
|
|
SG6105D |
|
ШИМ-контроллер для БП
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
512
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
|
10 509
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
CJ
|
523
|
1.13
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
YJ
|
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
HOTTECH
|
2 400
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
JSMSEMI
|
35 827
|
1.23
>500 шт. 0.41
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
KEEN SIDE
|
25 280
|
1.02
>100 шт. 0.51
|
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
|
|
4.60
|
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
10.58
|
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
3 732
|
4.20
|
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
БРЯНСК
|
116
|
4.20
|
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
МИНСК
|
8 707
|
4.20
|
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
РИГА
|
240
|
4.20
|
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
ТРАНЗИСТОР
|
620
|
3.39
|
|
Версия для печати
