NTCLE100E3682JB0
|
THERMISTOR NTC 6.8K OHM LEADED |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | 2381 |
| Resistance in Ohms @ 25°C | 6.8K |
| Resistance Tolerance | ±5% |
| B Value Tolerance | ±0.75% |
| B25/85 | 3977K |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Power - Max | 500mW |
| Length - Lead Wire | 0.59" (15.00mm) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | Bead, Glass |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BP-118B | DRAGON CITY |
|
|
|||||
| BP-118B |
|
|
||||||
| BP-118R | DRAGON CITY |
|
|
|||||
| BP-118R |
|
|
||||||
 |
 |
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ... | ST MICROELECTRONICS | 120 | 94.67 | |
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ... |
|
|
||
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ... | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ... | ST1 |
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ... | ST MICROELECTRO |
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ... | 4-7 НЕДЕЛЬ | 623 |
|
|
| SY050M0010B2F-0511 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 50 В | YAGEO |
|
|
|||
| SY050M0010B2F-0511 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 50 В |
|
|
||||
| ЩУПЫ МУЛЬТИМЕТРА ETL-51 | S-LINE |
|
|
