UC3714D
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Конфигурация | Low-Side |
| Тип входа | PWM |
| Время задержки | 50ns |
| Ток пиковое значение | 1A |
| Число конфигураций | 2 |
| Число выходов | 2 |
| Напряжение питания | 7 V ~ 20 V |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOIC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SD718 |
|
Биполярный транзистор NPN Hi-Fi, 120V, 10A, 80W | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
2SD718 |
|
Биполярный транзистор NPN Hi-Fi, 120V, 10A, 80W | KEC |
|
|
|
|
|
|
2SD718 |
|
Биполярный транзистор NPN Hi-Fi, 120V, 10A, 80W |
|
22.80 | ||
|
|
|
2SD718 |
|
Биполярный транзистор NPN Hi-Fi, 120V, 10A, 80W | ISCSEMI |
|
|
|
 |
|
GT35J321 |
|
Биполярный транзистор | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
GT35J321 |
|
Биполярный транзистор | TOS |
|
|
|
|
|
|
GT35J321 |
|
Биполярный транзистор |
|
1 720.00 | ||
| GT50J327 | TOSHIBA |
|
|
|||||
| GT50J327 |
|
1 693.60 | ||||||
| GT50J327 | TOS |
|
|
|||||
| GT50J327 | КИТАЙ |
|
|
|||||
 |
|
IRFP260N |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W | INTERNATIONAL RECTIFIER | 80 | 238.14 | |
|
|
|
IRFP260N |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W | 40 | 279.72 | ||
|
|
|
IRFP260N |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRFP260N |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFP260N |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W | INFINEON |
|
|
|
 |
КУ602Б | 548 | 55.44 | |||||
|
|
КУ602Б | СВЕТЛАНА | 1 031 | 38.16 | ||||
|
|
КУ602Б | 1054 |
|
|
||||
|
|
КУ602Б | 240 |
|
|
