| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
41 796
|
2.25
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NXP
|
1 504
|
2.12
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD
|
119
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
1 733
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PHILIPS
|
4
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SILICONIX
|
98
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ZETEX
|
336
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NXP
|
395
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SILICON POWER
|
124
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
POWERSILICON INCORPORATED
|
122
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
GALAXY
|
430
|
2.95
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
2
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
|
52 036
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
32
|
2.12
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
12.49
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PHILIPS
|
80
|
12.49
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NEXPERIA
|
108
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
HOTTECH
|
7
|
1.98
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KLS
|
8 073
|
1.77
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
LGE
|
4
|
2.02
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YJ
|
64 177
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGJIE
|
20
|
1.57
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KOME
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DIOTEC
|
74 389
|
2.41
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YOUTAI
|
60 412
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
CJ
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UWM
|
64
|
1.23
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SUNTAN
|
8 217
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KUU
|
49 468
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
JSCJ
|
138 839
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SLKOR
|
888
|
1.42
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KLS ELECTRONIC
|
57
|
2.29
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
MERRYELC
|
39 440
|
1.03
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
1980
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
40
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KEEN SIDE
|
77 720
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
|
BAV70LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV70LT1G |
|
|
ONS
|
604
|
5.17
|
|
|
|
|
BAV70LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 498
|
|
|
|
|
|
BAV70LT1G |
|
|
|
911
|
3.70
|
|
|
|
|
BAV70LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
BAV70LT1G |
|
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV70LT1G |
|
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
|
56 983
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
800
|
8.59
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
3 409
|
1.82
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
OTHER
|
12 800
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
1 424
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
8
|
1.50
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
7 139
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YJ
|
262 045
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
21 428
|
2.07
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SEMTECH
|
4
|
2.65
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YOUTAI
|
24 053
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
8 102
|
1.80
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
402 591
|
1.01
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
MERRYELC
|
4 000
|
1.98
>100 шт. 0.99
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
CTK
|
240
|
1.42
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
1 639
|
1.70
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DC COMPONENTS
|
56 606
|
1.59
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIOTEC
|
3 024
|
1.70
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
240
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
1 212
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
976
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
|
29 444
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
HOTTECH
|
631 844
|
1.14
>500 шт. 0.38
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH / NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NEX-NXP
|
56 000
|
2.07
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SEMTECH
|
3 010
|
1.09
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YJ
|
624 075
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH/NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
CTK
|
2 489
|
1.70
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
OLITECH ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SUNTAN
|
769
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NEXPERIA
|
436 732
|
1.05
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
8
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
XXW
|
465 900
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KEEN SIDE
|
1 640
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
MERRYELC
|
20 160
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
1999
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
2396
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
2771
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
3112
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
50
|
|
|
|
|
|
|
DG444DJ |
|
Ключ аналоговый Счетверенный 70Ом Uпит=44В
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
|
DG444DJ |
|
Ключ аналоговый Счетверенный 70Ом Uпит=44В
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
|
DG444DJ |
|
Ключ аналоговый Счетверенный 70Ом Uпит=44В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
DG444DJ |
|
Ключ аналоговый Счетверенный 70Ом Uпит=44В
|
|
3 363
|
81.40
|
|
|
|
|
DG444DJ |
|
Ключ аналоговый Счетверенный 70Ом Uпит=44В
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
|
DG444DJ |
|
Ключ аналоговый Счетверенный 70Ом Uпит=44В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
533
|
|
|